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极紫外光刻

2018-08-20 16:33:25     所属分类:半导体器件制造
极紫外光刻的成像机制

极紫外光刻英语:Extreme ultraviolet lithography,也称EUVEUVL)是一种使用极紫外(EUV)波长的下一代光刻英语next-generation lithography技术,目前预期使用13.5纳米,预计将于2020年得到广泛应用[1][2][3][4]

极紫外光刻的实际应用比原先估计的将近晚了10多年。[5][6]

参考资料

  1. ^ Intel 7nm by 2019
  2. ^ Globalfoundries EUV by 2020
  3. ^ Samsung 7nm by 2020
  4. ^ TSMC 5nm by 2020
  5. ^ 1
  6. ^ 2[来源可靠?]

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