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罗伯特·丹纳德

2018-08-22 10:26:19     所属分类:美国电机工程师
罗伯特·海思·丹纳德
Robert H. Dennard
Robert Dennard.jpg
罗伯特·海思·丹纳德博士,IBM院士,图中背后图形为动态随机存取内存(DRAM)记忆单元的电路图
出生 (1932-09-05)1932年9月5日
 美国德克萨斯州特雷尔
居住地  美国
国籍  美国
公民权  美国
母校 南方卫理公会大学
卡内基技术学院
知名于 动态随机存取内存(DRAM)
奖项 哈维奖(1990)
IEEE爱迪生奖章(2001)
IEEE荣誉奖章(2009)
科学生涯
研究领域 电机工程
机构 IBM

罗伯特·海思·丹纳德英语:Robert Heath Dennard,1932年9月5日),生于美国德克萨斯州特雷尔(Terrell),电机工程师与发明家,为随机存取内存(DRAM)的发明者。

生平

1954年,于达拉斯南方卫理公会大学取得电机工程学士,1956年取得硕士学位。1958年,于卡内基技术学院(卡内基梅隆大学的前身)取得博士学位。毕业后,进入IBM工作。

1968年,发明随机存取内存。1970年代与1980年代,投入MOSFET的微缩方程式(scaling equations)研发。

荣誉

2013年,获得日本京都赏先进技术奖。

外部链接

  • (英文)Robert Dennard, Inventor of the Week (Archive), MIT .
  • (英文)Robert H Dennard, Legacies (Bio), IEEE .

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